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英飞凌 英飞凌 IPD650P06NM 技术手册.pdf

英飞凌 英飞凌 IPD650P06NM 技术手册.pdf

    英飞凌IPD650P06NM功率晶体管

    英飞凌MOSFET功率晶体管

    英飞凌IPD650P06NMOptiMOSTM-60V功率晶体管

    特性

    •P沟道

    •极低的导通电阻RDS(on)

    •100%雪崩测试

    •标准电平

    •增强模式

    •无铅镀层；符合RoHS标准

    •符合IEC61249-2-21标准的无卤素

    产品验证

    完全符合JEDEC工业应用标准

    表1主要性能参数

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