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电子科技大学微电子专业《模拟集成电路》期末试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.在MOSFET中，导致阈值电压“负温度系数”的主要原因是（）

A.沟道长度调制效应

B.体效应

C.载流子迁移率随温度升高而降低

D.氧化层电荷密度随温度变化

2.关于理想运算放大器，下列说法正确的是（）

A.开环增益为无穷大

B.输入电阻为无穷大，输出电阻为无穷小

C.共模抑制比为无穷大

D.以上都对

3.共源放大器的电压增益表达式为（）

A.-gmRL

B.gm(RD∥RL)

C.-gm(RD∥RL∥ro)

D.gmro

4.差分放大器抑制共模信号的原理主要依赖于（）

A.电路对称性

B.高增益

C.负反馈

D.大电源电压

5.两级运放进行频率补偿时，通常采用的技术是（）

A.极点分裂

B.密勒补偿

C.零点极点对消

D.增加缓冲级

6.在反馈放大电路中，电压串联负反馈的输入电阻变化趋势是（）

A.减小