300mm硅片表面纳米形貌的评价方法 标准立项发展报告.docx

300mm硅片表面纳米形貌的评价方法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:PracticeMethodsforNanotopographyof300mmSiliconWaferSurface

摘要

随着集成电路制程不断向7nm及以下节点演进，对300mm硅片表面质量的管控要求已从微米级的平整度指标拓展至纳米级表面形貌特征。纳米形貌作为连接宏观几何参数与原子级表面粗糙度之间的关键中间尺度参数，对化学机械抛光（CMP）工艺窗口、光刻焦深余量及器件良率具有显著影响。目前，国内外尚无专门针对300mm硅片表面纳米形貌评价的统一方法