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模拟集成电路设计试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

1.在MOSFET饱和区，漏极电流ID主要取决于（）。

A.VGS

B.VDS

C.VSB

D.VGD

2.负反馈放大器中，为提高输入阻抗并稳定输出电流，应采用（）。

A.串联电压反馈

B.并联电流反馈

C.串联电流反馈

D.并联电压反馈

3.差分放大器的共模抑制比（CMRR）定义为（）。

A.差模增益与共模增益之比

B.共模增益与差模增益之比

C.差模输入阻抗与共模输入阻抗之比

D.共模输入阻抗与差模输入阻抗之比

4.基本电流镜相比Cascode电流镜，主要缺点是（）。

A.输出电阻低

B.所需晶体管数量多

C.输出电压摆幅小

D.温度稳定性差

5.运算放大器的单位增益带宽（GBW）主要取决于（）。

A.输入级跨导和负载电容

B.电源电压和输出级电流

C.反馈网络电阻和电容

D.阈值电压和工艺参数

6.密勒效应在放大器频率响应中会导致（）。

A.输入电容增大，带宽减小

B