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- 2026-09-09 发布于北京
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1996年9月
N
NDT2955
P
沟道增强型场效应晶体管
概述特性
功率SOT
P沟道增强型功率‑2.5A，‑60V。R=0.3@
V=‑10V。
DS(ON)GS
场效应晶体管采用国家公司的DS(ON)
度单元设计实现极低的R。
专有的度DMOS技术制造而成。这
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