CN119855178A 一种折中正向和反向特性的rc-igbt器件及其制备方法 （上海维安半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119855178A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202510338053.2

(22)申请日2025.03.21

(71)申请人上海维安半导体有限公司

地址201202上海市浦东新区祝桥镇施湾

七路1001号2幢

(72)发明人刘雯娇沈海波陈凯华苏海伟

(74)专利代理机构上海申新律师事务所31272

专利代理师吴轶淳

(51)Int.Cl.

H10D12/00(2025.01)

H10D12/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

权利要求书2页说明书8页附图8页

(54)发明名称

一种折中正向和反向特性的RC-IGBT器件及

其制备方法

(57)摘要

CN119855178A本发明提供一种折中正向和反向特性的RC_IGBT器件及其制备方法，涉及功率半导体技术领域，包括：集成于同一芯片上的IGBT元胞区、FRD元胞区及终端区，FRD元胞区位于IGBT元胞区的一侧，终端区位于IGBT元胞区和FRD元胞区的外围；IGBT元胞区内的远离FRD元胞区的一侧设有IGBT栅极PAD区。有益效果是FRD元胞区设置在IGBT元胞区的一侧，版图更易设计；两者独立设计，可通过调节IGBT元胞区来降低正向导通压降，