CN119855181A 一种半导体结构及其形成方法 （上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119855181A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202311342088.0

(22)申请日2023.10.17

(71)申请人上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司

地址201807上海市嘉定区娄陆公路497号

(72)发明人巩士磊陈燕黄豪俊

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

专利代理师赵素香

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D30/60(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H01L21/28(2025.01)

权利要求书1页说明书5页附图5页

(54)发明名称

一种半导体结构及其形成方法

(57)摘要

CN119855181A本发明提供一种半导体结构及其形成方法，包括提供一基底，在基底的表面形成栅极结构；形成硬掩膜层，硬掩膜层覆盖栅极结构的侧壁及顶表面，对侧壁的底部表面覆盖的硬掩膜层进行刻蚀，以使得侧壁底部表面的硬掩膜层的厚度不大于侧壁其余部分表面的硬掩膜层的厚度；对栅极结构两侧的基底执行刻蚀工艺形成沟槽，并在沟槽内生长外延层；去除剩余的硬掩膜层。本发明通过在形成外延层之前，对侧壁的底部表面覆盖的硬掩膜层进行刻蚀，增加后续