CN119855186A 一种抗浪涌电压的平面栅碳化硅vdmos及制备方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119855186A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202510329135.0

(22)申请日2025.03.20

(71)申请人泰科天润半导体科技（北京）有限公司

地址101300北京市顺义区中关村科技园

区顺义园临空二路1号

(72)发明人何佳陈彤周海胡臻

(74)专利代理机构福州市京华专利代理事务所(普通合伙)35212

专利代理师刘晓明

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D30/66(2025.01)

H10D62/83(2025.01)

权利要求书1页说明书5页附图10页

(54)发明名称

一种抗浪涌电压的平面栅碳化硅VDMOS及制

备方法

(57)摘要

CN119855186A本发明提供了一种抗浪涌电压的平面栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；在漂移层上形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成保护区、均流区、第二P型阱区、肖特基区、第一P型阱区以及凸起部；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成绝缘介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层；重