GBT 47901-2026 激光器外延芯片用砷化镓衬底标准立项发展报告.docx

激光器外延芯片用砷化镓衬底标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:GalliumArsenideSubstratesforLaserEpitaxialChips

摘要

砷化镓（GaAs）作为第二代化合物半导体的代表性材料，凭借其优异的电子迁移率、直接带隙结构和良好的光电特性，已成为光电子器件与高速微电子器件的核心基底材料。特别是在激光器外延芯片领域，砷化镓衬底的质量直接决定了外延层的晶体完整性、界面质量及最终器件的性能与可靠性。然而，随着激光器向高功率、窄线宽、高可靠性方向的快速发展，现有标准体系在衬底缺陷密度控制、表面/界面质量