CN119855154A 半导体器件及其制作方法、存储系统、电子设备 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119855154A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202311345432.1

(22)申请日2023.10.16

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430205湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人赵祥辉曾最新张元露章诗张川

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限

公司44570

专利代理师官建红

(51)Int.Cl.

H10B43/35(2023.01)

H10B43/27(2023.01)

权利要求书3页说明书11页附图10页

(54)发明名称

半导体器件及其制作方法、存储系统、电子

设备

(57)摘要

CN119855154A本申请公开了一种半导体器件及其制作方法、存储系统、电子设备；其中，堆叠结构包括层叠且交替设置的多个绝缘层以及多个栅极功能层，堆叠结构还包括阵列区以及位于阵列区至少一侧的台阶区，堆叠结构在台阶区具有与多个栅极功能层分别对应设置的多个台阶；栅极隔离结构贯穿堆叠结构，并包括延伸至台阶区的第一子部；多个导电柱设置于台阶区，并贯穿堆叠结构；其中，各栅极功能层包括至少设置于阵列区的栅极部、设置于台阶处的第一连接部、以及连接于第一子部侧壁的第二连接部，第二连接部连接于第