CN119855201A 一种半导体结构及其制造方法 （苏州晶湛半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119855201A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202311330824.0

(22)申请日2023.10.13

(71)申请人苏州晶湛半导体有限公司

地址215123江苏省苏州市苏州工业园区

金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室

(72)发明人程凯

(74)专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限

公司11505

专利代理师秦卫中

(51)Int.Cl.

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/85(2025.01)

H10D62/824(2025.01)

H10D30/47(2025.01)

H01L21/02(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图6页

(54)发明名称

一种半导体结构及其制造方法

(57)摘要

CN119855201A本公开提供的半导体结构包括依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层以及异质结结构层；成核层包括第一成核层和第二成核层，第一成核层为多个条状结构，相邻两个所述条状结构之间为条状凹槽，条状凹槽的延伸方向平行于衬底所在平面，第二成核层覆盖条状凹槽且覆盖第一成核层，第二成核层的离子透过能力高于第一成核层的离子透过能力。本公开设计离子透过能力不