CN119584567A 具有深能级受主杂质p基区的功率半导体器件及制造方法 (北京怀柔实验室).pdfVIP

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  • 2026-09-09 发布于重庆
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CN119584567A 具有深能级受主杂质p基区的功率半导体器件及制造方法 (北京怀柔实验室).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119584567A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202411593891.6

(22)申请日2024.11.08

(71)申请人北京怀柔实验室

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