CN119856257A 半导体装置的制造方法 （琳得科株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119856257A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202380064824.2

(22)申请日2023.09.11

(30)优先权数据

2022-1458942022.09.14JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.03.10

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0329722023.09.11

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/058094JA2024.03.21

(71)申请人琳得科株式会社地址日本东京都

(72)发明人垣内康彦藤本泰史

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

专利代理师杨薇

(51)Int.Cl.

H01L21/304(2006.01)

C09J7/30(2006.01)

C09J7/38(2006.01)

H01L21/301(2006.01)

权利要求书1页说明书26页附图4页

(54)发明名称

半导体装置的制造方法

(57)摘要

CN119856257A本发明涉及半导体装置的制造方法，其依次具有下述工序1及工序2，工序1包括对粘贴于该双面粘合片的支撑体进行磨削的支撑体磨削处理。工序1：制作依次具有支撑体、双面粘合片及加工对象物的层叠体