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数模电期末知识点总结

一、半导体基础知识

1.半导体材料

-本征半导体：纯净的半导体，如硅（Si）、锗（Ge），其导电性受温度影响显著。

-杂质半导体：通过掺入微量杂质形成N型（电子多数载流子）和P型（空穴多数载流子）半导体。

2.PN结

-形成机制：通过扩散运动和漂移运动达到动态平衡，形成内建电场。

-单向导电性：正向偏置时导通（正向压降约0.7V），反向偏置时截止（反向漏电流极小）。

-电容效应：势垒电容和扩散电容，影响高频性能。

3.二极管

-类型：整流二极管、稳压二极管、变容二极管、发光二极管等。

-模型：理想模型、恒压降模型（正向0.7V）、折线模型。

-主要参数：最大整流电流、最大反向工作电压、反向恢复时间等。

二、三极管及场效应管

1.双极结型晶体管（BJT）

-工作原理：基极电流控制集电极电流，电流放大系数β≈Ic/Ib。

-工作状态：截止区（Ib≈0）、放大区（发射结正偏、集电结反偏）、饱和区（发射结正偏、集电结正偏）。

-输入输出特性曲线：分析偏置电压对放大性能的影响。

-主要参数：电流放大系数、特征频率、极间电容等。

2.场效应晶体管（MOSFET）

-类型：增强型（NMOS、