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- 2026-09-10 发布于北京
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2013年3月
FQA28N15N沟道QFET
MOSFET150
V，33
A，90
mΩ
产品描述特性
这款N沟道增强型功率MOSFET采用飞兆®专有的平•33A，150
V，RDS(on)
=90mΩ(最大值)
面条带和DMOS技术制造。该先进MOSFET技术经过特殊优@VGS
=10V，ID
=16.5
A
化，可降低导通电阻，并卓越的开关性能及高雪崩能量
•低栅极电荷（典型值
220
nC）
承受能力。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直
流电机控制及可变开关电源应用。•低Crss（典型值
110
pF）
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