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SOT封装沟道场效应管技术手册.pdfVIP

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  • 2026-09-10 发布于北京
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SOT封装沟道场效应管技术手册.pdf

    1996年9月

    N

    NDT453N

    N沟道增强型场效应晶体管

    概述特性

    8A，30V。R=0.028@

    V=10V。

    功率SOT

    N沟道增强型功率DS(ON)GS

    R=0.042@

    V=4.5V。

    场效应晶体管采用National的DS(ON)GS

    专有、高单元密度的DMOS技术。

    度单元设计实现极低的

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