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2026-2030年全球AI服务器用第三代半导体功率器件市场出货量及产值预测

摘要

本报告聚焦于2026年至203年全球AI服务器电源系统中第三代半导体功率器件的市场前景，核心议题围绕算力需求激增与功率架构演进对碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件的需求进行量化预测。

随着AI大模型参数规模向万亿级迈进，单机柜功耗从30kW向100kW甚至更高水平跃升，传统硅基器件的物理极限成为制约能效提升的瓶颈，推动电源架构向高压直流、48V/400V母线及高效降压拓扑转变。这一趋势为SiC和GaN器件开辟了关键的增量市场。

报告首先梳理了宏观技术环境与行业现状，明确AI服务器电源正从千瓦级向兆瓦级数据中心演进。核心章节深入分析了不同功耗段AI服务器的供电架构，并量化预测了12V/48V/400V/800V各电压平台对SiC与GaN功率器件的需求。研究发现，在3kW至10kW的电源单元中，GaN凭借高频优势在48V至12V的中间母线转换器及负载点稳压器中加速渗透；而在5.5kW以上的高压功率因数校正和高压直流转换环节，SiCMOSFET凭借其高耐压与低开关损耗特性，正逐步取代传统硅基IGBT。

我们预测，至2030年全球AI服务器用SiC功率器件出货量将超过1.2亿颗，对应产值突破18亿美元；GaN器件出货量将激增至5.8亿颗，产值接近12亿美元。市场竞争格局方面，意法半导