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TCL华星光电笔试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题只有一个正确选项，请将正确选项字母填入括号内）

1.在硅（Si）中，形成N型半导体主要是通过掺杂哪种元素？

A.硼（B）

B.铝（Al）

C.磷（P）

D.砷（As）

2.MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导电沟道通常形成在哪个区域？

A.阱区

B.衬底区

C.栅极下方（半导体层）

D.铝接触层

3.光的波长从400nm增加到700nm时，其在真空中的传播速度将如何变化？

A.增大

B.减小

C.不变

D.无法确定

4.在溅射沉积显示面板基板薄膜的过程中，靶材的化学成分通常与最终沉积的薄膜成分有何关系？

A.完全相同

B.完全不同

C.部分相同，部分不同

D.取决于衬底材料

5.TFT-LCD（薄膜晶体管液晶显示器）中，液晶分子的主要功能是？

A.发光

B.存储电荷

C.控制光的透过方向和强度

D.传导电流

6.OLED（有机发光二极管）显示器的优势之一是？

A.对视角不敏感

B.需要背光源

C.响应