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60V N沟道功率MOSFET技术手册.pdfVIP

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  • 2026-09-11 发布于北京
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60V N沟道功率MOSFET技术手册.pdf

    2008年4月

    FDS5351

    N沟道

    PowerTrench®

    MOSFET

    60V，

    6.1A，35mΩ

    特性通用描述

    最大rDS(on)

    =35mΩ

    在

    VGS

    =10V，ID

    =6.1A最大这款N沟道MOSFET采用Fairchild

    Semiconductor先进的

    rDS(on)

    =42mΩ

    在

    VGS

    =4.5V，ID

    =5.5A高性能沟槽技术Power

    Trench®工艺制造，该工艺特别设计以最小化导通电阻，

    实现极低的rDS(on)100%

    全面测试合格符合RoHS同时保持优异的开关性能。

    应用

    逆变器开关同步整

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