CN119451171A 一种屏蔽栅mosfet器件及其制备方法 （上海超致半导体科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119451171A

(43)申请公布日2025.02.14

(21)申请号202411581574.2H10D62/10(2025.01)

(22)申请日2024.11.07

(71)申请人上海超致半导体科技有限公司

地址200120上海市浦东新区中国(上海)

自由贸易试验区蔡伦路1690号2号楼

405室

(72)发明人吴玉舟禹久泓

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司

11332

专利代理师苏舒音

(51)Int.Cl.

H10D30/63(2025.01)

H10D30/01(2025.01)