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2026年后EUV光刻机多重曝光技术进步与成本控制路径研究

全局数据规范：全篇所有量化数据须标注来源与时间口径；历史数据须真实可溯，预测性数据须注明推断依据与关键假设；多采用表格呈现数据、对比与分类等信息。

本报告说明

随着半导体制造工艺迈向2纳米及以下节点，极紫外光刻（EUV）技术已成为不可替代的核心基石。本报告聚焦2026年后的EUV光刻机多重曝光技术演进与成本控制路径，深入剖析高数值孔径（High-NAEUV，0.55NA及以上）对多重曝光依赖的深刻变化，并系统探讨成本优化与产能提升策略。

报告指出，0.55NAEUV的引入虽能实现单次曝光完成2nm节点关键层图形化