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高亮度LED外延片：MOCVD生长机制与结构设计优化策略

一、引言

1.1研究背景

随着全球能源问题的日益凸显以及人们对高品质照明和显示需求的不断增长，高亮度LED作为一种高效、节能、环保的新型光源，在过去几十年中取得了迅猛发展。自20世纪60年代第一只LED诞生以来，经过不断的技术革新，LED的发光效率、亮度、颜色种类以及可靠性等性能指标都得到了极大提升。特别是在21世纪，氮化镓（GaN）基LED的成功商业化，使得高亮度LED在照明、显示、汽车、医疗等众多领域得到广泛应用，逐渐取代传统光源，成为照明和显示领域的主导技术。

外延片作为LED的核心部件，其质量和性能直接决定了LED的发光效率、颜色纯度、稳定性等关键指标。外延片是通过在衬底材料上生长一层或多层特定的半导体材料而形成的，这些半导体材料的晶体结构、成分、厚度以及界面质量等因素，对LED的光电性能有着至关重要的影响。因此，高质量外延片的制备是实现高性能LED的基础和关键。

在众多外延片生长技术中，金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术凭借其能够精确控制生长层的成分、厚度和结构，以及可实现大规模生产等优势，成为目前高亮度LED外延片生长的主流技术。MOCVD技术利用气态的金属有机化合物和反应气体在高温和催化剂的作用下，在衬底表面发生化学反应，从而在衬底上逐层生长出高质量的半