基于SiC的直流建筑与微电网：从400V到800V直流母线电压等级的变换器拓扑与保护器件选型.docx

PAGE2

基于SiC的直流建筑与微电网：从400V到800V直流母线电压等级的变换器拓扑与保护器件选型

摘要

本报告聚焦于碳化硅（SiC）功率器件在直流建筑与微电网中的应用，深入探讨了直流母线电压等级从400V向800V演进过程中，变换器拓扑与保护系统的技术变革。随着“光储直柔”新型建筑配电系统成为实现“双碳”目标的关键路径，直流微电网因其与光伏、储能、电动汽车等直流原生负荷的高效耦合特性，正迎来前所未有的发展机遇。

本报告研究发现，SiC器件的普及正在重塑中高压直流变换器的拓扑选择，三电平ANPC与LLC谐振变换器成为800V母线架构下的主流方案。在保护领域，SiC固态断路器与熔断器