2025年秋季最新国开电大《模拟电子电路》形考任务1答案.docxVIP

2025年秋季最新国开电大《模拟电子电路》形考任务1答案

一、单项选择题（共20题，每题2分，合计40分）

1.半导体中参与导电的两类载流子是（）

A.自由电子和正离子

B.空穴和负离子

C.自由电子和空穴

D.正离子和负离子

答案：C

解析：本征半导体晶体结构为共价键排布，受热激发后共价键断裂，会同时释放出可自由移动的带负电粒子即自由电子，以及共价键上留下的带等效正电的空位即空穴，二者均可定向移动形成电流，这是半导体区别于金属导体仅依靠自由电子导电的核心特征，该考点为2025秋国开形考任务1首考核点，考核占比100%。

2.室温条件下，本征硅半导体受热激发产生的载流子变化规律是（）

A.自由电子数量远大于空穴数量

B.空穴数量远大于自由电子数量

C.自由电子与空穴数量始终相等且同步增长

D.两类载流子数量不受温度影响保持恒定

答案：C

解析：本征激发过程存在严格的成对性，每断裂一个共价键就会同时产生一个自由电子和一个空穴，不存在单独生成某一类载流子的物理路径，温度升高会提升共价键断裂的概率，因此两类载流子的浓度会同步等幅上升，该特性是后续杂质半导体载流子浓度调控的核心前提。

3.下列掺杂操作可以得到P型半导体的是（）

A.在本征硅晶体中掺入百万分之一浓度的磷元素

B.在本征硅晶体中掺入百万分之一浓度的硼元素

C.在本征硅晶体中掺入少量金元素

D.