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上海和辉光电笔试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共30分）

1.下列哪种半导体材料禁带宽度最小？

A.硅(Si)

B.锗(Ge)

C.砷化镓(GaAs)

D.碲化镓(GaTe)

2.在共发射极放大电路中，若要增大电压放大倍数，可以采取的措施是（请选择一项最主要的方法）。

A.增大集电极负载电阻

B.减小发射极电阻

C.增大电源电压

D.提高晶体管的电流放大系数β

3.下列关于PN结正向偏置特性的描述，错误的是：

A.P区接电源正极，N区接电源负极

B.PN结内漂移电流远大于扩散电流

C.PN结呈现低阻态，电流容易通过

D.扩散电流远大于漂移电流

4.MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）工作时，下列哪个选项是错误的？

A.漏极（Drain）是电流流入或流出的端口

B.源极（Source）通常连接到地或参考电位

C.栅极（Gate）通过电场控制漏源之间的电流

D.栅极需要较大的驱动电流来控制输出

5.下列封装材料中，主要用于倒装芯片（Flip-Chip）底部填充胶的是：

A.有机基板（Substrate）