CN119486569A 一种低热导率的p型AgSbSe2基热电材料、其制备方法及用途 (大连理工大学).pdfVIP

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  • 2026-09-12 发布于重庆
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CN119486569A 一种低热导率的p型AgSbSe2基热电材料、其制备方法及用途 (大连理工大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486569A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202411572160.3

(22)申请日2024.11.06

(71)申请人大连理工大学

地址116024辽宁省大连市甘井子区凌工

路2号

(72)发明人康慧君王同敏宋泓达陈荣春

郭恩宇陈宗宁张志柔曹志强

卢一平接金川张宇博李廷举

(74)专利代理机构大连大工智讯专利代理事务

所(特殊普通合伙)21244

专利代理师崔雪

(51)Int.Cl.

H10N10/852(2023.01)

H10N10/01(2023.01)

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