YS-T 1863.2-2026硅粉浊度测定标准解读课件.pptxVIP

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  • 2026-09-12 发布于福建
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YS-T 1863.2-2026硅粉浊度测定标准解读课件.pptx

目录

02

测定原理

01

标准概述

03

实验方法

04

结果计算与分析

05

质量保证措施

06

应用与意义

标准概述

01

标准背景与制定目的

硅粉质量控制需求

随着光伏和半导体行业对高纯度硅粉需求的增长,硅粉表面粉尘的浊度成为影响产品质量的关键指标,亟需统一检测方法以规范行业标准。

技术空白填补

此前硅粉浊度测定缺乏行业统一标准,导致不同实验室数据可比性差,本标准通过规定散射光法填补技术空白,提升检测结果的可重复性和准确性。

产业升级推动

为配合《中国制造2025》对新材料产业的质量升级要求,本标准通过细化测试条件和干扰因素控制,促进硅基材料产业链的高质量发展。

适用材料类型

明确适用于硅多晶生产用硅粉的浊度检测,包括但不限于冶金法、化学气相沉积法制备的硅粉,覆盖粒径在1-100μm范围内的样品。

检测范围界定

标准规定的浊度测定范围为1-1000NTU(散射浊度单位),可有效表征硅粉表面附着粉尘、微颗粒污染等杂质含量。

排除适用范围

不适用于碳化硅粉、氮化硅粉等非硅基粉体,以及已进行表面包覆处理的改性硅粉的浊度检测。

典型应用场景

主要面向光伏硅锭生产企业、半导体级硅材料供应商及第三方检测机构,用于原料入厂检验、工艺过程控制和成品质量评估。

适用范围与对象

特指悬浮在硅粉-水体系中的颗粒物对入射光产生的散射效应,以NTU为单位量化表示,数值越高表明硅粉表面粉尘污染越严重

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