基于0.25μmCMOS工艺高性能低压功率MOSFET混合华夫布局技术.pdfVIP

学生论文

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参评Charitat奖

采用0.25μm标准CMOS工艺的混合华夫结构高性能低压功率MOSFET

Abraham

Yoo*、Marian

Chang、Olivier

Trescases及Wai

Tung

Ng

*多伦多大学材料科学与工程系，

184

College

Street,

Toronto,

ON,

Canada

M5S

3E4

多伦多大学电气与计算机工程系，10

King’s

College

Road,

Toronto,

ON,

Canada

M5S

3G4

电子邮件：[tk_yoo@vrg.utoronto.ca],[ngwt@utoronto.ca]

摘要

本文报道了一种适用于多MHz集成开关模式电源的低压CMOS功率MOSFET布局技术，该技术采用

0.25μm五层金属标准CMOS工艺实现。所提出的混合华夫（HW）布局技术将MOSFET指状结构组织

为方形网格（华夫）排列，旨在平衡对角线源/漏金属宽度与有源器件面积，从而更有效地优化开关损

耗与导通损耗。与传统多指状（MF）布局相比，HW布局使1A额定电流的CMOS器件总导通电阻降低

30%，总栅电荷减少3.6倍。采用HW推挽输出级的集成DC‑D