高性能沟道MOSFET功率器件概览.pdfVIP

表格

{

边框‑折叠:

折叠;

}

表格,

th,

td

{

边框:

1px

实线

#000;

}

飞兆®？

FQT4N20L

N沟道

QFET®

MOSFET200

V,

0.85

A,

1.40

Ω

概述这款N沟道增强型

功率MOSFET采用飞兆®专有的平面条带和DMOS技术制造。这项先进的

MOSFET技术经过特别优化，可降低导通电阻，并卓越的开关性能及高雪崩能量

强度。该器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及电子镇流器。

特性

•0.85

A、200

V，RDS(on)=1.35

Ω（典型值）@VGS=10V，ID=0.425

A

•低栅极电荷（典型值4

nC）

•低Crss（典型值6

pF）

•100%

经过雪崩测试

•低电平栅极驱动要求，允许直接由逻辑驱动器操作

table{border-collapse:collapse;}table,th,td{border:1pxsolid#000;}

FAIRCHILD

SEMICONDUCTOR?

FQT4N20L

N-ChannelQFET®MOSFET

200V,0.85A,1.40Ω

Description

Th