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半导体芯片工艺笔试题目

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题

1.在半导体制造中，用于形成PN结的主要方法是：

A.离子注入

B.掺杂

C.光刻

D.湿法清洗

2.下列哪种材料通常用作半导体器件的绝缘层？

A.硅(Si)

B.氮化硅(SiN)

C.多晶硅(Polysilicon)

D.二氧化硅(SiO2)

3.光刻工艺中，将光刻胶上的图形转移到晶圆衬底上的过程称为：

A.曝光

B.显影

C.坚膜

D.图案对准

4.在干法刻蚀中，使用等离子体进行物质去除，其中射频(RF)电源主要用于：

A.产生高温

B.提供刻蚀所需的化学活性物质

C.产生高能电子轰击工件

D.引入反应气体

5.下列哪项不是影响化学机械抛光(CMP)膜面平整度的关键因素？

A.砂纸/磨料的类型与浓度

B.抛光液的化学成分

C.晶圆与抛光垫的粘附力

D.晶圆的尺寸与重量

6.离子注入工艺中，用于控制注入离子束能量的主要部件是：

A.加速电极

B.离子源

C.聚焦偏转系统

D.隔离膜