MOSFET区与饱区电压特性分析.pdfVIP

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  • 2026-09-16 发布于北京
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M在v−v  v = 0.4V时被切断。

1inoutto

在该区域,仅在$\overline{v}$之间进行电阻分压

和Vaut

$$

\therefore

\bar

{V}

_{\mathrm

{输出}}

=\frac

{R

_{2}}{R

_{1}

+R

_{2}}

\cdot

V

_

{\mathrm

{输入}}

=\frac

{1}{2}

V

_{\mathrm

{输入}}.

$$

布罗克点当M趋于:

$$

V

_{x}

‑

\frac

{1}{2}

V

_{x}

=0.

4

(V),

\Rightarrow

V

_{x}

=0.

8

V

\quad

(V

_{\min},

V

_

{\max})

=(0.

8,

0.

4)

$$

当

Mu

接通后,始终处于饱和区。

$$

\begin{array}{l}

\because

V

_{g

d}

=V

_{i

n}

‑

V

_{d

a}

V

_{t}

\quad

f

_{r}

\quad

0

\leq

V

_{i

n}

\leq

V

_{d

a}

\\

基尔霍夫电流定律

@

V

a

u

e

\\

r

_{d}

=\frac

{1}{2}

k

^

{\prime}

\frac

{W}{4}

(V

_{i

n}

‑

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