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2026年校招：中芯国际题库及答案

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单项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体制造中光刻的主要目的是（）

A.清洗晶圆B.图形转移C.掺杂D.氧化

2.以下哪种气体在化学气相沉积（CVD）中常用作硅源（）

A.氧气B.氢气C.硅烷D.氮气

3.中芯国际的英文缩写是（）

A.SMICB.IMECC.TSMCD.GLOBALFOUNDRIES

4.半导体制造中去除晶圆表面氧化层常用的工艺是（）

A.蒸镀B.光刻C.蚀刻D.扩散

5.衡量芯片性能的指标中，主频的单位是（）

A.赫兹B.安培C.伏特D.欧姆

6.以下哪种封装技术是目前较为先进的（）

A.DIPB.QFPC.BGAD.SIP

7.大规模集成电路制造的关键工艺步骤顺序正确的是（）

A.光刻-蚀刻-掺杂-薄膜沉积

B.蚀刻-光刻-掺杂-薄膜沉积

C.掺杂-光刻-蚀刻-薄膜沉积

D.薄膜沉积-光刻-蚀刻-掺杂

8.中芯国际主要从事的业务是（