T/CI 1454-2026集成电路用KrF光刻胶技术要求.pdf

T/CI1454-2026集成电路用KrF光刻胶技术要求如下：

1.外观：光刻胶应为均匀的深棕色至黑色液体或半固体。

2.颗粒度：光刻胶中不应含有大于0.2μm的颗粒。

3.杂质含量：光刻胶中不应含有对光致抗蚀剂性能有影响的杂质。

4.折射率：光刻胶折射率应接近空气，以保证光刻过程中光束传输的准确性。

5.固化物溶解度：光刻胶应能在KrF光源下溶解。

6.耐热性：光刻胶应能在光刻、显影和剥离过程中承受一定温度而不变质。

7.曝光灵敏度：光刻胶应具有合适的曝光灵敏度，以适应不同的曝光光源和工艺条件。

8.剥离性能：光刻胶剥离层应具有优良的剥离性能，以保证光刻胶图案的完整性。

9.与前道工序的兼容性：光刻胶应与前道工序兼容，以确保工艺流程的连续性和稳定性。

需要注意的是，上述要求仅是对集成电路用KrF光刻胶的一般性要求，具体技术要求可能会因不同生产厂家、不同批次的产品而有所差异。因此在实际生产过程中，需要根据具体情况对光刻胶进行检测和评估，以确保其符合相关技术要求。