《GB-T 43536.3-2026三维集成电路 第3部分：硅通孔模型及测试方法》培训.pptxVIP

《GB-T43536.3-2026三维集成电路第3部分：硅通孔模型及测试方法》培训

目录

02

核心术语与模型框架

01

标准背景与概述

03

测试方法体系总则

04

电学特性测试方法

05

可靠性与热机械测试

06

培训总结与标准实施

标准背景与概述

01

三维集成电路发展概述

互连挑战

复杂三维互连结构在制造过程中面临应力、热管理及信号完整性等多重挑战，亟需统一的技术规范指导产业实践。

产业需求

随着微电子产品向高算力、低功耗和小型化方向发展，三维封装技术成为支撑现代电子信息产业升级的核心关键技术。

技术演进

三维集成电路通过垂直方向上的多层堆叠实现芯片间互连，突破了传统平面微电子工艺的物理极限，显著提升了集成度和性能。

硅通孔(TSV)技术基础

核心结构

硅通孔作为贯穿硅晶圆或裸片的垂直互连通道，是实现三维集成电路层间信号传输与电源分配的最核心物理结构。

TSV制造涉及深反应离子刻蚀、绝缘层沉积、导电材料填充及化学机械抛光等复杂工序，对工艺精度与一致性要求极高。

TSV的几何参数与材料特性直接决定三维集成电路的电阻、电容和电感等寄生效应，深刻影响整体芯片的传输性能。

工艺环节

性能影响

标准编制目的与意义

统一规范

本标准针对三维集成电路制造关键环节，详细界定硅通孔模型与测试方法，为设计、制造及检验提供统一技术依据。

通过明确模型构建的数学表达与几何参数，规范测试流程与数