半导体BCD工艺设计考核试卷.docVIP

半导体BCD工艺设计考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.BCD工艺中最关键的步骤是：

A.氧化

B.光刻

C.扩散

D.腐蚀

2.在BCD工艺中，N阱结构的目的是：

A.提高器件性能

B.隔离器件

C.减少功耗

D.增加器件密度

3.BCD工艺中，通常使用的掩模材料是：

A.光刻胶

B.聚酰亚胺

C.二氧化硅

D.聚对二甲苯

4.BCD工艺中，扩散窗口的尺寸通常为：

A.0.1-0.5μm

B.0.5-2μm

C.2-5μm

D.5-10μm

5.BCD工艺中，氧化层的厚度通常为：

A.50-100nm

B.100-200nm

C.200-500nm

D.500-1000nm