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碳化硅功率器件的制备工艺良率提升方案研究

一、碳化硅功率器件产业发展与良率提升的现实意义

随着全球能源转型进程的加快，高效电能转换技术的重要性日益凸显，碳化硅功率器件作为第三代半导体技术的核心代表，正在成为支撑电力电子系统效率提升的关键元器件。相较于传统硅基功率器件，碳化硅材料具备三倍于硅的禁带宽度、十倍于硅的击穿电场、三倍于硅的热导率与更高的电子饱和漂移速度，所制备的功率器件拥有耐压等级高、导通损耗低、开关速度快、耐高温能力强等突出优势，能够大幅提升电力电子系统的转换效率、减小设备体积与重量，在新能源汽车主驱变流、光伏并网、储能双向变流、轨道交通牵引、高压直流输电、工业电机驱动等领域具备不可替代的应用价值。当前我国已将碳化硅功率器件列为重点发展的核心半导体产品，产业链各环节的量产能力建设正在快速推进，但相比于成熟的硅基功率器件产业，碳化硅器件的量产成本仍然偏高，成为制约其大规模替代硅基器件的核心障碍，而制备工艺良率偏低则是推高生产成本的最核心因素。

（一）当前制备工艺良率的核心痛点概述

全球碳化硅功率器件的量产进程虽已推进十余年，但工艺成熟度与硅基器件仍有明显差距。行业量产数据显示，当前主流六英寸碳化硅功率器件生产线的平均制程良率仅为五成至六成，远低于同尺寸成熟硅基绝缘栅双极型晶体管近九成的良率水平，且不同批次、不同设备之间的良率波动幅度可超过两成，不仅推高了产品成本，也导致供应