CN119581403A 不同深度的双浅沟槽隔离结构及半导体器件的形成方法 （重庆芯联微电子有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119581403A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202411524719.5

(22)申请日2024.10.30

(71)申请人重庆芯联微电子有限公司

地址401332重庆市沙坪坝区西永街道西

永大道28-2号SOHO楼601-A153

(72)发明人刘怡良张年亨李昱廷

(74)专利代理机构苏州石金知识产权代理事务

所(普通合伙)32844

专利代理师张璐豪

(51)Int.Cl.

H01L21/762(2006.01)

H01L21/308(2006.01)

权利要求书2页说明书