电子级双(叔丁氨基)硅烷标准立项发展报告
StandardizationDevelopmentReport:ElectronicGradeBis(tert-butylamino)silane
摘要:
随着集成电路制程不断向3nm及以下节点推进,高介电常数栅介质层、三维闪存堆叠结构及先进存储器件对薄膜沉积工艺提出了原子级精度控制要求。双(叔丁氨基)硅烷作为一种新型高活性有机硅前驱体,凭借其优异的原子层沉积兼容性、适当的反应活性窗口及良好的热稳定性,已成为先进制程中制备高介电常数材料界面层和硅基薄膜的关键材料。然而,长期以来该材料缺乏统一的电子级质量评价标准,导致国内各厂商产品指标参差
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