GB-T45716.1-2026MOSFETs快速偏置温度不稳定性试验培训.pptxVIP

GB-T45716.1-2026MOSFETs快速偏置温度不稳定性试验培训

目录

02

偏置温度不稳定性原理

01

标准背景与概述

03

试验设备与环境要求

04

快速BTI试验操作流程

05

数据分析与结果判定

06

培训总结与实操演练

标准背景与概述

01

标准制定背景与意义

01.

解决测量偏差

偏置温度不稳定性退化量在撤除应力后微秒内发生快速恢复，传统直流慢速测量低估真实退化，本标准旨在解决该评价难题。

02.

提升测量速度

采用先进单点漏极电流测量技术，将阈值电压漂移测量时间从数秒级大幅缩短至毫秒乃至微秒级，实现测量速度跃升。

03.

提高评价准确性

最大限度抑制BTI恢复效应带