CN119493201A 锗基底高透过宽截止窄带滤光片的膜系的设计方法以及制备方法 (安徽光智科技有限公司).pdfVIP

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  • 2026-09-22 发布于重庆
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CN119493201A 锗基底高透过宽截止窄带滤光片的膜系的设计方法以及制备方法 (安徽光智科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119493201A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202411530066.1C23C14/30(2006.01)

C23C14/06(2006.01)

(22)申请日2024.10.30

C23C14/14(2006.01)

(71)申请人安徽光智科技有限公司

地址239004安徽省滁州市琅琊经济开发

区南京路100号

(72)发明人戴亚洲杨双喜刘克武张海燕

平凡尉新星孙和旭毛文川

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