CN119486171A 改善沟槽栅产品源极、栅极漏电的方法 (上海华虹宏力半导体制造有限公司).pdfVIP

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  • 2026-09-22 发布于重庆
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CN119486171A 改善沟槽栅产品源极、栅极漏电的方法 (上海华虹宏力半导体制造有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119486171A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202411534780.8

(22)申请日2024.10.31

(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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