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模拟电路基础电子科技大学试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题（每题2分，共20分）

1.在常温（300K）下，硅二极管的正向导通压降约为（）。

A.0.1VB.0.3VC.0.7VD.1.0V

2.共射极基本放大电路中，若集电极电阻Rc增大，则电压放大倍数Av将（）。

A.增大B.减小C.不变D.无法确定

3.理想运算放大器在线性应用时，其两个输入端的“虚短”和“虚断”特性是指（）。

A.U+=U-，I+=I-=0B.U+=0，I+=I-=0

C.U-=0，I+=I-≠0D.U+=U-，I+=I-≠0

4.场效应管（JFET）工作在恒流区时，栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用体现为（）。

A.线性控制B.平方律关系C.无控制作用D.对数关系

5.负反馈放大电路中，欲稳定输出电压并提高输入电阻，应引入（）。

A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈

C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈

6.差分放大电路的主要作用是（）。

A.提高电压放大倍数