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基于ZnO纳米带的结型场效应晶体管和人工神经突触研究.pdf

基于ZnO纳米带的结型场效应晶体管和人工神经突触研究.pdf

    摘要

    宽带隙半导体材料氧化锌（ZnO）凭借其优异的光敏性、无毒特性、储量丰富以及

    制备成本低等优势，成为备受关注的功能材料。该材料广泛应用于光催化、抗菌、防紫

    外线等领域，更在紫外光电探测器、激光器、可塑性人工突触以及场效应晶体管等前沿

    研究中展现出重要价值。然而，传统ZnO基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）

    受限于复杂的界面工程和制备工艺，导致ZnO沟道与电介质界面存在不可避免的缺陷，

    这引发了功耗上升和载流子迁移率下降的双重问题。更为突出的是，现有ZnO器件普遍

    存在功能

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