碳化硅功率半导体器件制备工艺难点.docxVIP

碳化硅功率半导体器件制备工艺难点

引言

随着新能源发电、电动汽车、轨道交通等领域的快速发展，功率半导体器件作为电能变换的核心部件，面临着更高电压、更高频率、更高温度的应用需求。传统硅基功率器件的性能已经接近材料物理极限，难以满足下一代电力电子系统的效率提升需求。碳化硅作为第三代宽禁带半导体的代表材料，具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、电子饱和漂移速度快等突出优势，被认为是下一代功率半导体器件的核心材料。然而，碳化硅材料的物理化学特性与硅存在显著差异，其制备工艺面临着诸多尚未完全突破的难点，导致碳化硅器件的成本长期居高不下，大规模商业化应用受到制约。本文将从衬底制备、外延生长、器件核心工艺、