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半导体器件期末考试试题（含详细答案）

适用专业：电子信息、微电子、电气自动化等相关专业

考试时长：120分钟

满分：100分

说明：本试卷无特殊说明均为常温、均匀掺杂、小信号工作条件；所有器件为理想常规半导体器件。

一、填空题（每空1分，共20分）

1、半导体材料硅的晶体结构为________，常温下硅的本征载流子浓度________锗。

2、N型半导体的多数载流子是________，少数载流子是________，其杂质导电类型为________杂质。

3、PN结正向偏置时，P区接电源________极，N区接电源________极，势垒高度会________。

4、PN结的击穿主要分为__