原创力文档table{border-collapse:collapse;}table,th,td{border:1pxsolid#000;}
EN29LV160A
16兆位
(2048K
x
8位
/
1024K
x
16位)
闪存
扇区闪存，仅需CMOS
3.0伏电源
特性
•3.0V单电源供电
‑
最小化系统级功耗要求
•高性能
‑
时间最快可达70
纳秒
•低功耗（5
MHz下的典型值）
•9毫安典型工作电流
•20毫安典型编程/擦除电流
•待机电流小于1微安
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EN29LV160A
16兆位
(2048K
x
8位
/
1024K
x
16位)
闪存
扇区闪存，仅需CMOS
3.0伏电源
特性
•3.0V单电源供电
‑
最小化系统级功耗要求
•高性能
‑
时间最快可达70
纳秒
•低功耗（5
MHz下的典型值）
•9毫安典型工作电流
•20毫安典型编程/擦除电流
•待机电流小于1微安
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