CN119419121A 形成沟槽的方法及半导体工艺设备 (北京北方华创微电子装备有限公司).pdfVIP

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  • 2026-09-27 发布于重庆
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CN119419121A 形成沟槽的方法及半导体工艺设备 (北京北方华创微电子装备有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119419121A

(43)申请公布日2025.02.11

(21)申请号202411547078.5

(22)申请日2024.10.31

(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区文昌大道8号

(72)发明人胡苗苗

(74)专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限

公司11505

专利代理师尚文文

(51)Int.Cl.

H01L21/3065(2006.01)

H01J37/32(2006.01)

H01L21/67(2006.01)

权利要求

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