半导体器件分立器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 标准立项发展报告.docx

半导体器件分立器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:ReliabilityTestMethodsforSiliconCarbideMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistors(SiCMOSFETs)inDiscreteSemiconductorDevices

摘要

碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为第三代宽禁带半导体核心功率器件，凭借其耐高压、低损耗、高频高效等突出优势，在新能源汽