半导体器件分立器件碳化硅二极管可靠性试验方法 标准立项发展报告.docx

半导体器件分立器件碳化硅二极管可靠性试验方法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:TestMethodsforReliabilityofSiliconCarbideDiodesinDiscreteSemiconductorDevices

摘要

碳化硅（SiC）功率半导体器件因其宽禁带、高击穿电场强度、高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏逆变器、智能电网、轨道交通等高端应用领域展现出巨大的发展潜力和市场前景。为满足产业对碳化硅二极管可靠性验证的迫切需求，规范产品考核方法与质量判定依据，特制定本标准。本报告从产业发展背景