SJT 12221-2026 电子级四(甲乙氨基)锆 标准立项发展报告.docx

SJ/T12221-2026电子级四(甲乙氨基)锆标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SJ/T12221-2026ElectronicGradeTetrakis(ethylmethylamino)zirconium

摘要

随着集成电路制程不断向5纳米及以下节点演进，高介电常数（High-k）栅介质材料的应用成为突破摩尔定律物理极限的关键技术路径。四(甲乙氨基)锆作为原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）工艺中制备二氧化锆薄膜的核心前驱体材料，其纯度、金属杂质含量及批次稳定性直接决定芯片良率与器件可靠性。当前，该材料的核心